碳化硅功率器件
工藝制造服務
各電流電壓等級的標準及高溫應用 JBS二極管,平面、溝槽MOSFET,
10kV以上PiN二極管,各項性能指標達到國際領先水平。
可為客戶提供650V-10kV碳化硅二極管流片定制工藝服務,以及各類規格參數外延定制化服務,最大可達250微米。
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硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于

11月30日,歷時2個多月的第四屆“第三代半導體卓越青年”評選活動公布最終結果,基本半導體總經理和巍巍成功入選。

近年來,新技術革命正重構全球競爭發展格局,針對半導體領域的國際交流合作也日益頻繁。11月,中美、中德及中瑞高峰

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