重磅推出碳化硅MOSFET l 基本半導體參加第二屆國際電力電子技術與應用會議

發表時間:2018-11-07 10:40

11月4-7日,由中國電源學會與IEEE電力電子學會聯合主辦的第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行。基本半導體作為本次大會的金牌贊助商,重磅推出碳化硅MOSFET產品,反響熱烈。

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作為全球性的電力電子行業盛會,IEEE PEAC 2018可謂大咖云集,來自31個國家和地區的電力電子學術界和產業界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞,美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授,中國工程院院士臧克茂教授,IEEE-電力電子學會主席Alan Mantooth教授,美國電源制造商協會主席Stephen Oliver先生,韓國電力電子學會主席Eui-Cheol Nho教授等受邀出席本次會議。

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為期四天的博覽會活動內容精彩紛呈,9場專題報告、12場專題講座、52個技術報告分會場256場報告、10個工業報告分會場32場報告和墻報交流、設計大賽及頒獎儀式輪番登場。特邀專家以國際視野的全新角度,緊扣電力電子領域發展的不同熱點議題,分享對于該領域的前瞻思考和獨到見解,受到了與會者的熱烈歡迎。

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基本半導體副總經理張振中博士受邀在功率器件應用分會場作技術分享,重點介紹了基本半導體自主研發的高性能碳化硅MOSFET產品。目前公司主推的1200V 碳化硅MOSFET具有短路安全工作區大、雪崩耐量高、反向擊穿電壓高和導通電阻低的特點。該產品完成了150度下2000小時的HTRB和HTGB可靠性試驗,并通過多家客戶的嚴苛測試認證,進入批量供應階段。器件反向擊穿電壓達到1520V,在柵極電壓20V、直流電壓800V的短路條件下,可安全承受6微秒的短路時間;在柵極電壓16V以上,器件可安全地進行并聯工作。

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本半導體將憑借雄厚的研發實力和創新能力,繼續加快產品創新步伐。張振中博士表示,碳化硅MOSFET產品開發將從分立器件逐步拓展到Compact系列封裝和汽車級封裝,覆蓋新能源汽車電機控制器、車載電源、大功率充電模塊、光伏逆變器等多個領域。

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基本半導體總經理和巍巍博士領取優秀合作伙伴獎

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大會期間,基本半導體展臺人流如織,眾多行業人士前來咨詢碳化硅肖特基二極管和碳化硅MOSFET產品性能及應用情況,多家客戶達成合作意向。基本半導體技術團隊與國內外專家、學者和科研技術人員深入探討電力電子發展新思想、新技術的同時,會老友、結新朋,共同助力電力電子產業生態的協同發展。


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