SiC器件定制
產品詳情

根據客戶的設計要求,整合基本半導體標準工藝模塊,提供完整的器件定制工藝解決方案:

?  完整的4/6寸生產流程線,擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產或部分工藝步驟定制;

?  全生產流程可控,標準化的工藝模塊,包括高級的碳化硅深溝槽刻蝕,柵氧工藝及各種金屬結工藝;

?  根據客戶需要提供器件設計、仿真、CAD制圖的相關輔助,并提供晶圓測試和相關測試數據的分析報告。



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